IPL65R099C7AUMA1 - MOSFET N-CH 4VSON

Hersteller Teilenummer

IPL65R099C7AUMA1

Interne Teilenummer

AX-IPL65R099C7AUMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 4VSON

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

149990 Pieces

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Technische Daten für IPL65R099C7AUMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPL65R099C7AUMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 4VSON

Serie : CoolMOS™ C7

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 21A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 590µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2140pF @ 400V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 128W (Tc)

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-VSON-4

Paket / fall : 4-PowerTSFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IPL65 , IPL65R09

Dokumente für IPL65R099C7AUMA1

Datenblätter : IPL65R099C7AUMA1.pdf

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