IRF2807ZPBF - MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB

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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
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Technische Daten für IRF2807ZPBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRF2807ZPBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 75V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.4 mOhm @ 53A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3270pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 170W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220AB
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IRF2807ZPBF

Datenblätter : IRF2807ZPBF.pdf

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