TPCF8101(TE85L,F,M - MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
50910 Pieces
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Technische Daten für TPCF8101(TE85L,F,M
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
TPCF8101(TE85L,F,M
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
Serie :
U-MOSIII
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
28 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1600pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
700mW (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
VS-8 (2.9x1.5)
Paket / fall :
8-SMD, Flat Lead
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für TPCF8101(TE85L,F,M
Datenblätter :
TPCF8101(TE85L,F,M.pdf
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