M471B5173EB0-YMA - DDR3 SODIMM 4 GB 1R x 8 1866 Mbps 1.35 V 204 (512M x 8) x 8 EOL
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Kurze Beschreibung
DDR3 SODIMM 4 GB 1R x 8 1866 Mbps 1.35 V 204 (512M x 8) x 8 EOL
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Technische Daten für M471B5173EB0-YMA
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : M471B5173EB0-YMA
Hersteller : Samsung Semiconductor
Beschreibung : DDR3 SODIMM 4 GB 1R x 8 1866 Mbps 1.35 V 204 (512M x 8) x 8 EOL
Serie : DDR3
DDR : DDR3
Dimm-Typ : SODIMM
Dichte : 4 GB
Rang x Org. : 1R x 8
Geschwindigkeit : 1866 Mbps
Stromspannung : 1.35 V
Anzahl der Pin : 204
Komponente Zusammensetzung : (512M x 8) x 8
Produckstatus : EOL
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für M471B5173EB0-YMA
Datenblätter : M471B5173EB0-YMA.pdf
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