RJK6025DPD-00#J2 - MOSFET N-CH 600V 1A MP3A

Hersteller Teilenummer

RJK6025DPD-00#J2

Interne Teilenummer

AX-RJK6025DPD-00#J2

Hersteller

Renesas Electronics America

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 1A MP3A

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

12968 Pieces

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Technische Daten für RJK6025DPD-00#J2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RJK6025DPD-00#J2

Hersteller : Renesas Electronics America

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 1A MP3A

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17.5 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 37.5pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 29.7W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : MP-3A

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für RJK6025DPD-00#J2

Datenblätter : RJK6025DPD-00#J2.pdf

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