DMN3032LE-13 - MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223

Hersteller Teilenummer

DMN3032LE-13

Interne Teilenummer

AX-DMN3032LE-13

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1963735 Pieces

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Technische Daten für DMN3032LE-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN3032LE-13

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11.3nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 498pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.8W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SOT-223

Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : DMN3032LE-13.pdf

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