NVD5867NLT4G - MOSFET N-CH 60V DPAK

Hersteller Teilenummer

NVD5867NLT4G

Interne Teilenummer

AX-NVD5867NLT4G

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V DPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

23506 Pieces

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Technische Daten für NVD5867NLT4G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : NVD5867NLT4G

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V DPAK

Serie : Automotive, AEC-Q101

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A (Ta), 22A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 675pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3.3W (Ta), 43W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DPAK-3

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : NVD5867NLT4G.pdf

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