SE70PJHM3_A/I - DIODE GEN PURP 600V 2.9A TO277A
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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 2.9A TO277A
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SE70PJHM3_A/I
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SE70PJHM3_A/I
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 2.9A TO277A
Serie : Automotive, AEC-Q101, eSMP®
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 2.9A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.05V @ 7A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 2.6µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 20µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : 76pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-277, 3-PowerDFN
Supplier Device Package : TO-277A (SMPC)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SE70PJHM3_A/I
Datenblätter : SE70PJHM3_A/I.pdf
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