DGD2103MS8-13 - IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
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Kurze Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für DGD2103MS8-13
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DGD2103MS8-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Serie : -
Teilestatus : Active
Angetriebene Konfiguration : Half-Bridge
Kanaltyp : Independent
Anzahl der Treiber : 2
Gate-Typ : IGBT, N-Channel MOSFET
Spannungsversorgung : 10V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH : 0.8V, 2.5V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) : 290mA, 600mA
Eingabetyp : Inverting, Non-Inverting
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) : 600V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) : 70ns, 35ns
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SO
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für DGD2103MS8-13
Datenblätter : DGD2103MS8-13.pdf
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