SPB100N06S2L-05 - MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK

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MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
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Technische Daten für SPB100N06S2L-05

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SPB100N06S2L-05
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 230nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7530pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 300W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TO263-3-2
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : SPB10 , SPB100N

Dokumente für SPB100N06S2L-05

Datenblätter : SPB100N06S2L-05.pdf

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