BSS306NH6327XTSA1 - MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23

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MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23
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Technische Daten für BSS306NH6327XTSA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BSS306NH6327XTSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 57 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 11µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.5nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 275pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 500mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-23-3
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : BSS30 , BSS306NH

Dokumente für BSS306NH6327XTSA1

Datenblätter : BSS306NH6327XTSA1.pdf

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