FDZ3N513ZT - MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1

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MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1
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Technische Daten für FDZ3N513ZT

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDZ3N513ZT
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 3.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 462 mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1nC @ 4.5V
Vgs (Max) : +5.5V, -0.3V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 85pF @ 15V
FET-Funktion : Schottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.) : 1W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 125°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 4-WLCSP (0.96x0.96)
Paket / fall : 4-UFBGA, WLCSP
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : FDZ , FDZ3N

Dokumente für FDZ3N513ZT

Datenblätter : FDZ3N513ZT.pdf

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