SIR800DP-T1-RE3 - MOSFET N-CH 20V 50A POWERPAKSO-8

Hersteller Teilenummer

SIR800DP-T1-RE3

Interne Teilenummer

AX-SIR800DP-T1-RE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 50A POWERPAKSO-8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

629510 Pieces

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Technische Daten für SIR800DP-T1-RE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SIR800DP-T1-RE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 50A POWERPAKSO-8

Serie : TrenchFET® Gen III

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 133nC @ 10V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5125pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 69W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PowerPAK® SO-8

Paket / fall : PowerPAK® SO-8

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : SIR800DP-T1-RE3.pdf

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