BSM180D12P3C007 - SIC POWER MODULE

Hersteller Teilenummer

BSM180D12P3C007

Interne Teilenummer

AX-BSM180D12P3C007

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

SIC POWER MODULE

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

9097 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für BSM180D12P3C007

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BSM180D12P3C007

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : SIC POWER MODULE

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Silicon Carbide (SiC)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V (1.2kV)

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 180A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.6V @ 50mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 900pF @ 10V

Leistung max : 880W

Betriebstemperatur : 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : Module

Supplier Device Package : Module

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für BSM180D12P3C007

Datenblätter : BSM180D12P3C007.pdf

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