APTGLQ50VDA65T3G - POWER MODULE - IGBT
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
POWER MODULE - IGBT
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für APTGLQ50VDA65T3G
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : APTGLQ50VDA65T3G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : POWER MODULE - IGBT
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Aufbau : Dual Boost Chopper
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 70A
Leistung max : 175W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.3V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 50µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 3.1nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : Yes
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : SP3F
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für APTGLQ50VDA65T3G
Datenblätter : APTGLQ50VDA65T3G.pdf
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