APTM100UM60FAG - MOSFET N-CH 1000V 129A SP6
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 129A SP6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für APTM100UM60FAG
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : APTM100UM60FAG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 129A SP6
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 129A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 64.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 15mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1116nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 31100pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2272W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SP6
Paket / fall : SP6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für APTM100UM60FAG
Datenblätter : APTM100UM60FAG.pdf
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