DMN2300UFB-7B - MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
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Technische Daten für DMN2300UFB-7B
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
DMN2300UFB-7B
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.32A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
175 mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
950mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.89nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
67.62pF @ 20V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
468mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
X1-DFN1006-3
Paket / fall :
3-UFDFN
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für DMN2300UFB-7B
Datenblätter :
DMN2300UFB-7B.pdf
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