IXTA130N10T-TRL - MOSFET N-CH 100V 130A TO263
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 130A TO263
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für IXTA130N10T-TRL
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXTA130N10T-TRL
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Serie : TrenchMV™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 130A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.1 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 104nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5080pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 360W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-263 (IXTA)
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IXTA130N10T-TRL
Datenblätter : IXTA130N10T-TRL.pdf
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