RFD12N06RLESM9A - MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

Hersteller Teilenummer

RFD12N06RLESM9A

Interne Teilenummer

AX-RFD12N06RLESM9A

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1146685 Pieces

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Technische Daten für RFD12N06RLESM9A

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RFD12N06RLESM9A

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

Serie : UltraFET™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 63 mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V

Vgs (Max) : ±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 485pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 49W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252AA

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : RFD12 , RFD12N0

Dokumente für RFD12N06RLESM9A

Datenblätter : RFD12N06RLESM9A.pdf

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