IRF1902PBF - MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IRF1902PBF
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IRF1902PBF
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRF1902PBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 310pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-SO
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IRF1902PBF
Datenblätter : IRF1902PBF.pdf
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