TP65H050WS - GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-TP65H050WS
Hersteller
Kurze Beschreibung
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
40425 Pieces
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Technische Daten für TP65H050WS
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
TP65H050WS
Hersteller :
Transphorm
Beschreibung :
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
34A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.8V @ 700µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
24nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1000pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
119W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247-3
Paket / fall :
TO-247-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für TP65H050WS
Datenblätter :
TP65H050WS.pdf
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