TP65H050WS - GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-TP65H050WS
Hersteller
Kurze Beschreibung
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
40425 Pieces
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Technische Daten für TP65H050WS
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : TP65H050WS
Hersteller : Transphorm
Beschreibung : GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 34A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.8V @ 700µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1000pF @ 400V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 119W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247-3
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für TP65H050WS
Datenblätter : TP65H050WS.pdf
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