SI5499DC-T1-E3 - MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
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MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
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Technische Daten für SI5499DC-T1-E3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SI5499DC-T1-E3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 8V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 36 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 8V
Vgs (Max) : ±5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1290pF @ 4V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 1206-8 ChipFET™
Paket / fall : 8-SMD, Flat Lead
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SI5499DC-T1-E3
Datenblätter : SI5499DC-T1-E3.pdf
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