IXFR200N10P - MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247

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MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
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Technische Daten für IXFR200N10P

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXFR200N10P
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
Serie : HiPerFET™, PolarP2™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 133A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 235nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7600pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 300W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : ISOPLUS247™
Paket / fall : ISOPLUS247™
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IXFR200N10P

Datenblätter : IXFR200N10P.pdf

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