K4FHE3D4HM-MHCJ - 24 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production

Hersteller Teilenummer

K4FHE3D4HM-MHCJ

Interne Teilenummer

AX-K4FHE3D4HM-MHCJ

Hersteller

Samsung Semiconductor

Kurze Beschreibung

24 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production

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Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : K4FHE3D4HM-MHCJ

Hersteller : Samsung Semiconductor

Beschreibung : 24 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production

Serie : DDR3

Dichte : 24 Gb

Org. : x32

Geschwindigkeit : 3733 Mbps

Stromspannung : 1.8 / 1.1 / 1.1 V

Temp. : -40 ~ 105 °C

Paket : 200FBGA

Produckstatus : Mass Production

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : K4FHE , K4FHE3D

Dokumente für K4FHE3D4HM-MHCJ

Datenblätter : K4FHE3D4HM-MHCJ.pdf

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