DMN2011UFX-7 - MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

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MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
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Technische Daten für DMN2011UFX-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMN2011UFX-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2248pF @ 10V
Leistung max : 2.1W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 4-VFDFN Exposed Pad
Supplier Device Package : V-DFN2050-4
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für DMN2011UFX-7

Datenblätter : DMN2011UFX-7.pdf

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