FDFS2P106A - MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC

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MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC
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Technische Daten für FDFS2P106A

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDFS2P106A
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 714pF @ 30V
FET-Funktion : Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) : 900mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-SOIC
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für FDFS2P106A

Datenblätter : FDFS2P106A.pdf

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