DMN2013UFDE-7 - MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für DMN2013UFDE-7
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
DMN2013UFDE-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
25.8nC @ 8V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2453pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
660mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
U-DFN2020-6 (Type E)
Paket / fall :
6-UDFN Exposed Pad
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für DMN2013UFDE-7
Datenblätter :
DMN2013UFDE-7.pdf
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