JANTX1N3170R - DIODE GEN PURP 600V 300A DO9

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 300A DO9
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für JANTX1N3170R

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : JANTX1N3170R
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 300A DO9
Serie : Military, MIL-PRF-19500/586
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 300A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.55V @ 940A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Chassis, Stud Mount
Paket / fall : DO-205AB, DO-9, Stud
Supplier Device Package : DO-205AB, DO-9
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für JANTX1N3170R

Datenblätter : JANTX1N3170R.pdf

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