BSS192PH6327XTSA1 - MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
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Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
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Technische Daten für BSS192PH6327XTSA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BSS192PH6327XTSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Serie : SIPMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 190mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 130µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6.1nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 104pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-SOT89
Paket / fall : TO-243AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BSS192PH6327XTSA1
Datenblätter : BSS192PH6327XTSA1.pdf
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