RSM002P03T2L - MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3

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MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3
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Technische Daten für RSM002P03T2L

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RSM002P03T2L
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 30pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 150mW (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : VMT3
Paket / fall : SOT-723
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für RSM002P03T2L

Datenblätter : RSM002P03T2L.pdf

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