US1M R3G - DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-US1M R3G
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
5107665 Pieces
Referenzpreis
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Technische Daten für US1M R3G
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
US1M R3G
Hersteller :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
1000V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 1A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
75ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
5µA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
DO-214AC, SMA
Supplier Device Package :
DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 150°C
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für US1M R3G
Datenblätter :
US1M R3G.pdf
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