FCD260N65S3 - MOSFET N-CH 260MOHM TO252

Hersteller Teilenummer

FCD260N65S3

Interne Teilenummer

AX-FCD260N65S3

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 260MOHM TO252

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für FCD260N65S3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FCD260N65S3

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 260MOHM TO252

Serie : SuperFET® III

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 260 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.2mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1010pF @ 400V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 90W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252, (D-Pak)

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FCD260N65S3

Datenblätter : FCD260N65S3.pdf

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