SI4463CDY-T1-GE3 - MOSFET P-CHAN 2.5V SO8
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Kurze Beschreibung
MOSFET P-CHAN 2.5V SO8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1056015 Pieces
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Technische Daten für SI4463CDY-T1-GE3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SI4463CDY-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET P-CHAN 2.5V SO8
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
13.6A (Ta), 49A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
162nC @ 10V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4250pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.7W (Ta), 5W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SI4463CDY-T1-GE3
Datenblätter :
SI4463CDY-T1-GE3.pdf
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