70T659S12BCI8 - IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA
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Kurze Beschreibung
IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für 70T659S12BCI8
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 70T659S12BCI8
Hersteller : IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung : IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : SRAM
Technologie : SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße : 4.5Mb (128K x 36)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 12ns
Zugriffszeit : 12ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 256-LBGA
Supplier Device Package : 256-CABGA (17x17)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für 70T659S12BCI8
Datenblätter : 70T659S12BCI8.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 3000PF 10KV. | ||
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 10000PF 10KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 7600PF 18KV SCREW. | ||
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