IXTT10N100D2 - MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267

Hersteller Teilenummer

IXTT10N100D2

Interne Teilenummer

AX-IXTT10N100D2

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

53394 Pieces

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Technische Daten für IXTT10N100D2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IXTT10N100D2

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 200nC @ 5V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5320pF @ 25V

FET-Funktion : Depletion Mode

Verlustleistung (max.) : 695W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-268

Paket / fall : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IXTT10N100D2

Datenblätter : IXTT10N100D2.pdf

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