CSD88539NDT - MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC

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MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
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Technische Daten für CSD88539NDT

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : CSD88539NDT
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Serie : NexFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.6V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 9.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 741pF @ 30V
Leistung max : 2.1W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SO
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für CSD88539NDT

Datenblätter : CSD88539NDT.pdf

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