FDD107AN06LA0 - MOSFET N-CH 60V 10.9A D-PAK
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MOSFET N-CH 60V 10.9A D-PAK
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Technische Daten für FDD107AN06LA0
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDD107AN06LA0
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 10.9A D-PAK
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.4A (Ta), 10.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 91 mOhm @ 10.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5.5nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 360pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 25W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-252AA
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für FDD107AN06LA0
Datenblätter : FDD107AN06LA0.pdf
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