FDMS3615S - MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A 8-PQFN

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MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A 8-PQFN
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Technische Daten für FDMS3615S

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDMS3615S
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A 8-PQFN
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 16A, 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1765pF @ 13V
Leistung max : 1W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Supplier Device Package : Power56
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : FDM , FDMS

Dokumente für FDMS3615S

Datenblätter : FDMS3615S.pdf

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