IRFU1N60APBF - MOSFET N-CH 600V 1.4A I-PAK

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MOSFET N-CH 600V 1.4A I-PAK
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Technische Daten für IRFU1N60APBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRFU1N60APBF
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 1.4A I-PAK
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 Ohm @ 840mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 229pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 36W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-251AA
Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : IRFU , IRFU1N

Dokumente für IRFU1N60APBF

Datenblätter : IRFU1N60APBF.pdf

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