SI6968BEDQ-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP
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MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP
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Technische Daten für SI6968BEDQ-T1-GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SI6968BEDQ-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
Leistung max : 1W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Supplier Device Package : 8-TSSOP
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SI6968BEDQ-T1-GE3
Datenblätter : SI6968BEDQ-T1-GE3.pdf
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