IXTP110N12T2 - 120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET

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120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
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Technische Daten für IXTP110N12T2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXTP110N12T2
Hersteller : IXYS
Beschreibung : 120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
Serie : TrenchT2™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 120V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 110A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6570pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 517W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220AB
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IXTP110N12T2

Datenblätter : IXTP110N12T2.pdf

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