SPU03N60C3BKMA1 - MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251
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Technische Daten für SPU03N60C3BKMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SPU03N60C3BKMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251
Serie : CoolMOS™
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 135µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 400pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 38W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO251-3
Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SPU03N60C3BKMA1
Datenblätter : SPU03N60C3BKMA1.pdf
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