FF6MR12W2M1B11BOMA1 - MOSFET MODULE 1200V 200A
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Kurze Beschreibung
MOSFET MODULE 1200V 200A
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
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Technische Daten für FF6MR12W2M1B11BOMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FF6MR12W2M1B11BOMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET MODULE 1200V 200A
Serie : CoolSiC™
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 200A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.63 mOhm @ 200A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.55V @ 10mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 496nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 14700pF @ 800V
Leistung max : 20mW (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : AG-EASY2BM-2
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für FF6MR12W2M1B11BOMA1
Datenblätter : FF6MR12W2M1B11BOMA1.pdf
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