NVMFS4C05NWFT1G - MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für NVMFS4C05NWFT1G
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
NVMFS4C05NWFT1G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
24.7A (Ta), 116A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1972pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.61W (Ta), 79W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / fall :
8-PowerTDFN
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für NVMFS4C05NWFT1G
Datenblätter :
NVMFS4C05NWFT1G.pdf
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