SISS46DN-T1-GE3 - MOSFET N-CH 100V PPAK 1212-8S
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V PPAK 1212-8S
RoHS-Status
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Technische Daten für SISS46DN-T1-GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SISS46DN-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V PPAK 1212-8S
Serie : TrenchFET® Gen IV
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12.5A (Ta), 45.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2140pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerPAK® 1212-8S
Paket / fall : PowerPAK® 1212-8S
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SISS46DN-T1-GE3
Datenblätter : SISS46DN-T1-GE3.pdf
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