STGP4M65DF2 - IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS

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IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für STGP4M65DF2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STGP4M65DF2
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS
Serie : M
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 8A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 16A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 4A
Leistung max : 68W
Energie wechseln : 40µJ (on), 136µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 15.2nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 12ns/86ns
Testbedingung : 400V, 4A, 47 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : 133ns
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-220-3
Supplier Device Package : TO-220AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : STG , STGP4

Dokumente für STGP4M65DF2

Datenblätter : STGP4M65DF2.pdf

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