BSB015N04NX3GXUMA1 - MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für BSB015N04NX3GXUMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BSB015N04NX3GXUMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 36A (Ta), 180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 142nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 12000pF @ 20V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / fall : 3-WDSON
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BSB015N04NX3GXUMA1
Datenblätter : BSB015N04NX3GXUMA1.pdf
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