FDMS4D0N12C - PTNG 120V N-FET PQFN56

Hersteller Teilenummer

FDMS4D0N12C

Interne Teilenummer

AX-FDMS4D0N12C

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

PTNG 120V N-FET PQFN56

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

148225 Pieces

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Technische Daten für FDMS4D0N12C

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDMS4D0N12C

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : PTNG 120V N-FET PQFN56

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 120V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18.5A (Ta), 114A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 67A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 370A

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 82nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6460pF @ 60V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.7W (Ta), 106W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-PQFN (5x6)

Paket / fall : 8-PowerTDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FDMS4D0N12C

Datenblätter : FDMS4D0N12C.pdf

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