HAT2267H-EL-E - MOSFET N-CH 80V 25A 5LFPAK

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Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 25A 5LFPAK
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Technische Daten für HAT2267H-EL-E

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : HAT2267H-EL-E
Hersteller : Renesas Electronics America
Beschreibung : MOSFET N-CH 80V 25A 5LFPAK
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 25A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2150pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 25W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : LFPAK
Paket / fall : SC-100, SOT-669
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : HAT2267H-EL-E.pdf

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