NVMFSW6D1N08HT1G - T8 80V 1 PART PROLIFERATI

Hersteller Teilenummer

NVMFSW6D1N08HT1G

Interne Teilenummer

AX-NVMFSW6D1N08HT1G

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

T8 80V 1 PART PROLIFERATI

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

628655 Pieces

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Technische Daten für NVMFSW6D1N08HT1G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : NVMFSW6D1N08HT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : T8 80V 1 PART PROLIFERATI

Serie : Automotive, AEC-Q101

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 17A (Ta), 89A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 120µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2085pF @ 40V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3.8W (Ta), 104W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / fall : 8-PowerTDFN, 5 Leads

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : NVMFS , NVMFSW6D

Dokumente für NVMFSW6D1N08HT1G

Datenblätter : NVMFSW6D1N08HT1G.pdf

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